سامسونگ اولین رم DDR5 تولید شده با لیتوگرافی 12 نانومتری را معرفی کرد. کره ای ها همزمان با معرفی این رم 16 گیگابایتی DDR5 از سازگاری آن با پردازنده های خانواده Zen شرکت AMD خبر داده اند.
رم جدید سامسونگ تا 23 درصد نسبت به نسل قبلی بازده انرژی بیشتری دارد. سامسونگ اعلام کرده است که با استفاده از مواد کاپا بالا و افزایش ظرفیت سلولی توانسته چنین محصولی را تولید کند. همچنین این شرکت از فناوری انحصاری برای بهبود مدارهای حیاتی و مهم استفاده کرده است.
تولید انبوه رم 12 نانومتری DDR5 سامسونگ از اوایل 2023
سامسونگ برای تولید این رم DDR5 از لیتوگرافی پیشرفته و چندلایه با بالاترین چگالی دای (Die) در صنعت استفاده کرده است و 20 درصد بهره‌وری ویفر بالاتری را ارائه می‌کند. این رم می‌تواند اطلاعات را با سرعت 7.2 گیگابیت بر ثانیه منتقل کنند که معادل پردازش دو فیلم 4K با حجم 30 گیگابایت در تنها یک ثانیه است.
همنچنین بخوانید : «اینفینیکس زیرو فایو جی 2023» رسماً معرفی شد
سامسونگ تولید انبوه رم جدید خود را از اوایل سال آینده میلادی آغاز می‌کند، بنابراین احتمالاً در فصل چهارم 2023 باید منتظر استفاده از این تراشه‌های DRAM در محصولات مختلف باشیم.
به باور سامسونگ، این DRAM جدید می‌تواند منجر به افزایش پذیرش و استفاده از رم DDR5 در محصولات مختلف شود. علاوه‌بر این، رم جدید با بهره‌وری انرژی بالاتر و سرعت بیشتر، ظاهراً می‌تواند تغییرات چشمگیری در برخی حوزه ازجمله نسل بعدی محاسبات، دیتاسنترها و سیستم‌های مبتنی بر هوش مصنوعی ایجاد کند.
این خبر باز نشر از منبع بوده و دولوپرسنتر هیچ مسئولیتی در قبال صحت آن نداد.
